- 2021-05-13 发布 |
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文档介绍
(浙江专用)备战2020高考物理一轮复习 第三部分 加试30分题型强化练(六)
加试30分题型强化练(六) 二、选择题Ⅱ 14.加试题 (2018·诸暨市诸暨中学段考)下列说法正确的是( ) A.β、γ射线都是电磁波 B.原子核中所有核子单独存在时,质量总和大于该原子核的总质量 C.在LC振荡电路中,电容器刚放电时电容器极板上电荷量最多,回路电流最小 D.大量处于n=4激发态的氢原子,共能辐射出四种不同频率的光子 15.加试题(2018·台州市书生中学月考)某同学在学校实验室采用甲、乙单摆做实验时得到的振动图象分别如图1中甲、乙所示,下列说法中正确的是( ) 图1 A.甲、乙两单摆的摆长相等 B.两摆球经过平衡位置时,速率可能相等 C.乙单摆的振动方程是x=-7sin πt(cm) D.在任意相同时间内,两摆球的路程之比为10∶7 16.加试题 分别用波长为λ和2λ的光照射同一种金属,产生的速度最快的光电子速度之比为2∶1,普朗克常量和真空中光速分别用h和c表示,那么下列说法正确的是( ) A.该种金属的逸出功为 6 B.该种金属的逸出功为 C.波长超过2λ的光都不能使该金属发生光电效应 D.波长超过4λ的光都不能使该金属发生光电效应 三、非选择题 21.加试题 (2018·宁波市重点中学联考)小结同学在做“探究单摆周期与摆长的关系”实验中: (1)在利用游标卡尺测量摆球直径时,测得示数如图2甲所示,则该摆球的直径d=________ mm; (2)在测摆长L时,她将毫米刻度尺的零刻度线与悬点对齐,示数如图乙所示,由此可知该单摆的摆长为L=________ cm; 图2 (3)以下是实验过程中的一些做法,其中正确的有________. A.摆线要选择细些的,伸缩性小些的,并且尽可能长一些 B.摆球尽量选择质量大些,体积小些的 C.为了使摆的周期大一些,以方便测量,开始时拉开摆球,使摆线相距平衡位置有较大的角度 D.拉开摆球,使摆线偏离平衡位置小于5度,在释放摆球的同时开始计时,当摆球第n次回到开始位置时停止计时,若所用时间为Δt,则单摆周期T= 22.加试题 (2018·义乌市模拟)如图3所示,在平面直角坐标系xOy中有一个等腰直角三角形硬质细杆框架FGH,框架竖直放在粗糙的水平面上,其中FG与地面接触.空间存在着垂直于框架平面的匀强磁场,磁感应强度为B,FG的长度为8L,在框架中垂线OH上S(0,L)处有一体积可忽略的粒子发射装置,在该平面内向各个方向发射大量速度大小相等、带正电的同种粒子,射到框架上的粒子立即被框架吸收.粒子的质量为m,电荷量为q,不计粒子间的相互作用以及粒子的重力. 6 图3 (1)试问速率在什么范围内所有粒子均不可能打到框架上? (2)如果粒子的发射速率为,求出框架上能被粒子打中的长度; (3)如果粒子的发射速率仍为,某时刻同时从S点发出粒子,求从第一个粒子到达底边FG至最后一个到达底边的时间间隔Δt. 6 23.加试题如图4所示,两根金属导体棒a和b的长度均为L,电阻均为R,质量分布均匀且大小分别为3m和m.现用两根等长的、质量和电阻均忽略不计且不可伸长的柔软导线将它们组成闭合回路,并悬跨在光滑绝缘的水平圆棒两侧.其中导体棒b处在宽度为H的垂直纸面向里、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,导体棒a位于磁场的正上方.现将导体棒b从磁场的下边界由静止释放,若磁场宽度H足够大,导体棒b穿过磁场的过程中,导体棒a未能进入磁场,整个运动过程中导体棒a、b始终处于水平状态,重力加速度为g.求: 图4 (1)导体棒b在磁场中运动时获得的最大速度v; (2)若导体棒b获得最大速度v时,恰好到达磁场的上边界,则b棒从释放到穿出磁场所需要的时间t; (3)在(2)问过程中产生的热量Q. 答案精析 14.BC [β 射线为高速电子流,不是电磁波,选项A错误.原子核的质量小于组成它的核子的质量之和,选项B正确.LC 6 振荡电路中,电容器开始放电时,由于自感线圈的阻碍作用,因此回路电流从小变大,选项C正确.处于n=4激发态的氢原子可以放出C=6种不同频率的光子,选项D错误.] 15.AC [由题图可知,两单摆周期相等,根据单摆周期T=2π,甲、乙两单摆的摆长相等,A正确;T=2.0 s,ω==π rad/s,所以乙单摆的振动方程是x=-7sin πt(cm),C正确.] 16.AD [由hν=W0+Ek知h=W0+mv,h=W0+mv,又v1=2v2,得W0=,A正确,B错误.光的波长小于或等于3λ时都能发生光电效应,C错误,D正确.] 21.(1)14.3 (2)76.20±0.02 cm (3)AB 22.(1)v≤ (2)(+)L (3) 解析 (1)如图甲所示,以OS为直径的粒子在运动过程中刚好不碰到框架. 根据几何关系,OS=2r0=L 根据牛顿第二定律得qv0B=m,解得v0= 则满足v≤的粒子均不可能打到三角形框架上. (2)当粒子速率v1=时,可求得其做圆周运动的半径r=L, 如图乙所示,当粒子的入射速度方向沿SO方向时,运动轨迹与FG相切于J点;当粒子的入射速度方向沿OS方向时,运动轨迹与FG相切于I点,介于这二者之间的入射粒子均可打在框架FG上,框架上被粒子打中的长度为图丙中JK之间的距离,其中OJ=r=L SK=2r=2L,OK==L 挡板上被粒子打中的长度JK=(+)L 6 (3)如图丁所示,粒子从S点发出到达底边FG的最长时间为,最短时间为,T= Δt=T-T=T=. 23.(1) (2)+ (3)2mgH- 解析 (1)设导线的拉力大小为FT,导体棒b受到的安培力为F安. 对导体棒a:3mg-2FT=3ma 对导体棒b:2FT-mg-F安=ma 联立以上两式解得2mg-F安=4ma 导体棒b切割磁感线产生的感应电动势E=BLv 感应电流I=,F安=BIL= 当b棒的速度最大时,a=0 整理后解得v= (2)由(1)可知,导体棒b上升过程中的加速度a=g- 由微元法得v=ΣaΔt=gΣΔt-ΣvΔt=gt-H 解得t=+ (3)对导体棒a、b组成的系统,由能量守恒定律有(3m-m)gH-Q=×4mv2 解得Q=2mgH-. 6查看更多