大学化学试题及答案

大学化学试题及答案

一、填空题1、含有杂质铜的铁，在3KNO溶液中将发生（）腐蚀。此腐蚀电池的阴极反应是（），可用（）检查；腐蚀电池的阳极反应是（），可用（）检查。2、在单晶硅、KI、4SiH、SrO、3NH、3FeCl、石墨中，属于原子晶体的有（），属于离子晶体的有（）；属于分子晶体的有（）；属于过渡晶体多的有（）。3、周期表中5、6周期副族金属的原子半径相近，这是由（）引起的，使得他们的（）相似，矿物共生，难以分离。4、作为光电材料的元素分布在周期表的（）区，因为该区元素（）；作为半导体材料的元素分布在周期表的（）区，作为高熔点、高硬度的金属元素分布于周期表的（），因为该区的元素（）；作为低熔合金的元素分布在周期表的（）区和（）区。二、选择题1、已知2(/)1.07EBrBrVΘ−=，32(/)0.77EFeFeVΘ++=。则反应：32212BrFeBrFe−+++⎯⎯→+的电动势EΘ值为（）（A）0.3V（B）-0.3V（C）1.84V（D）-1.84V2、某反应在400℃下平衡常数是14，此反应的rmGΘ∆为（）（A）5.21kJmol−⋅（B）14.81kJmol−⋅（C）-11.41kJmol−⋅（D）-14.81kJmol−⋅3、某催化酶反应的活化能是1501kJmol−⋅，正常人的体温是37℃，如果病人发烧到40℃。则此催化反应的速率是37℃时的（）倍。（A）51.9610×（B）0.83（C）1.2（D）1.754、已知322()3()OgOg=的机理是：32()()()OgOgOg=+（快反应）32()()2()OgOgOg+=（慢反应）与此机理适合的反应速率方程是（）（A）3()vkcO=（B）3()()vkcOcO=（C）232()()vkcOcO=（D）232()/()vkcOcO=5、下列基态原子的电子分布中，未成对电子数最多的是（）（A）Ag（B）Cd（C）Sn（D）Mo（E）Co三、判断题1、3Fe+的外层电子构型为265333spd()2、活化能就是活化分子具有的能量（），活化能越高，分子越难活化（），反应速率越小（）。3、副族元素的金属性的递变规律与主族元素不同，即同族内自上而下金属性减弱（），其氢氧化物的碱性则自上而下增强（）,唯独IIIB族相反，单质的金属性自上而下增强（）。4、由于Na和F的电负性之差大于Mg和O的电负性之差，所以NaF的熔点高于MgO的熔点（）四、计算题1、某温度下，在10kg,pH=1.5且含有0.0401molkg−⋅2HS的溶液中，能溶解101.010mol−×的PbS，试计算PbS\n在此温度下的溶度积skΘ。（已知2HS：819.110akΘ−=×1221.110akΘ−=×）大学化学试题答案一、填空题1、吸氧腐蚀，221222OHOeOH−−++⎯⎯→，酚酞，22FeeFe−+−⎯⎯→，36[()]KFeCN。2、单晶硅，SiC；KI，SrO，4SiH3NH；石墨，3FeCl。3、镧系收缩，性质。4、s、第一电离能小、p、d、原子半径小，有效核电和较大，未成对的价电子较多，元素的金属键较强、ds、p。二、选择题1、B2、D3、B4、C5、D三、判断题1、√2、××√3、√√√4、×四、计算题1、28